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1 : $8.3336
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Transphorm TPH3208PS
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
- Üretici Parça Numarası :TPH3208PS
- Üretici firma :Transphorm
- Dasenic Parça Numarası :TPH3208PS-DS
- Veri Sayfası :
TPH3208PS Veri Sayfası - Tanım : GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
- Paket :-
- Miktar :Birim fiyat : $ 8.3336Toplam : $ 8.33
- Teslimat süresi :48 Saat İçinde Gönderim
- Nakliye Menşei :Shenzhen veya Hong Kong Depo
- Teslimat :
- Ödeme :
Stokta var: 7412
( Adedi : 1 PCS )Fiyatlandırma (USD) : *Tüm fiyatlar USD cinsindendir
| Miktar | Birim fiyat | Toplam |
| 1 + | $ 8.3336 | $ 8.33 |
| 10 + | $ 7.8619 | $ 78.62 |
| 100 + | $ 7.4169 | $ 741.69 |
| 1000 + | $ 6.6010 | $ 6601.00 |
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Transphorm TPH3208PS Teknik özellikler, nitelikler, parametreler.
Kategori:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
消費電力（最大）:96W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.6V @ 300µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 8 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±18V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Transphorm TPH3208PS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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