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Transphorm TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
- Üretici Parça Numarası :TP65H150G4LSG
- Üretici firma :Transphorm
- Dasenic Parça Numarası :TP65H150G4LSG-DS
- Veri Sayfası :
TP65H150G4LSG Veri Sayfası - Tanım : GAN FET N-CH 650V PQFN
- Paket :-
- Miktar :Birim fiyat : $ 4.437Toplam : $ 4.44
- Teslimat süresi :48 Saat İçinde Gönderim
- Nakliye Menşei :Shenzhen veya Hong Kong Depo
- Teslimat :
- Ödeme :
Stokta var: 8022
( Adedi : 1 PCS )Fiyatlandırma (USD) : *Tüm fiyatlar USD cinsindendir
| Miktar | Birim fiyat | Toplam |
| 1 + | $ 4.4370 | $ 4.44 |
| 10 + | $ 3.8430 | $ 38.43 |
| 25 + | $ 3.7260 | $ 93.15 |
| 100 + | $ 3.1320 | $ 313.20 |
| 250 + | $ 3.0420 | $ 760.50 |
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Transphorm TP65H150G4LSG Teknik özellikler, nitelikler, parametreler.
Kategori:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:2-PowerTSFN
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:2-PQFN (8x8)
消費電力（最大）:52W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:13A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:8 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:598 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H150G4LSG
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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