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SemiQ GPA020A120MN-FD
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
- Üretici Parça Numarası :GPA020A120MN-FD
- Üretici firma :SemiQ
- Dasenic Parça Numarası :GPA020A120MN-FD-DS
- Veri Sayfası :
GPA020A120MN-FD Veri Sayfası - Tanım : IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
- Paket :-
- Miktar :Birim fiyat : $ 0Toplam : $ 0.00
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- Nakliye Menşei :Shenzhen veya Hong Kong Depo
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SemiQ GPA020A120MN-FD Teknik özellikler, nitelikler, parametreler.
Kategori:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:223 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3PN
逆回復時間 (trr):425 ns
電流 - コレクター ( Ic) (最大):40 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
I G B Tタイプ:Trench Field Stop
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 20A
電流 - コレクタパルス ( Icm):60 A
エネルギーの切り替え:2.8mJ (on), 480µJ (off)
ゲートチャージ:210 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:30ns/150ns
テスト条件:600V, 20A, 10Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SemiQ GPA020A120MN-FD
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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