1 / 1

1 : $9.9600

2.000 $'ın üzerindeki siparişlerle ilk kez kayıt olanlara 100 $'lık bir kupon verilir. Şimdi üye Ol !

PN Junction Semiconductor P3M06300D8

Name: P3M06300D8
Brand: PN Junction Semiconductor
SKU: P3M06300D8-DS
Price: 9.9600 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Stokta var: 1633

MOQ: 1

3 Fiyat Katmanları

Üretici Parça Numarası :P3M06300D8
Üretici firma :PN Junction Semiconductor
Dasenic Parça Numarası :P3M06300D8-DS
Veri Sayfası : P3M06300D8 Veri Sayfası PDF
Tanım : SICFET N-CH 650V 9A DFN8*8
Paket :-
BİRİM FİYAT: $9.9600
Toplam: $9.96

Miktar	BİRİM FİYAT	Kaydet
1-1	$9.9600	-
2-11	$9.4618	5.0% Kaydet
12-101	$9.9600	-

Zamandan ve paradan tasarruf etmenize yardımcı olur.

Sıkı kalite kontrol ve güvenilir ürün paketleme.

Zamandan tasarruf etmenizi sağlayan hızlı, güvenilir teslimat.

365 gün garanti ile satış sonrası hizmet veriyoruz.

PN Junction Semiconductor P3M06300D8 Teknik özellikler, nitelikler, parametreler.

Kategori:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Ürün Durumu:Active

Çalışma Sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj Tipi:Surface Mount

Paket / Kasa:DFN8*8

Teknoloji:SiCFET (Silicon Carbide)

Tedarikçi Cihaz Paketi:DFN8*8

Güç Tüketimi ( Maksimum):32W

F E T Tipi:N-Channel

F E T Özelliği:-

Drenajdan Kaynak Voltajı ( Vdss):650 V

Akım - Sürekli Tahliye ( Id) @ 25° C:9A

Rds Açık ( Maks) @ Id, Vgs:500mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs(th) ( Maksimum) @ Kimlik:2.2V @ 5mA

Kapı Şarjı ( Qg) ( Maks) @ Vgs:-

Giriş Kapasitansı ( Ciss) ( Maks) @ Vds:-

Sürücü Voltajı ( Maksimum Rds Açık, Min Rds Açık):15V

Vgs ( Maksimum):+20V, -8V

EU ROŞ Durumu:RoHS Compliant

ULAŞIM Durumu:REACH is not affected

ABD ECCN'si:EAR99

Çin RoHS Durumu:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

P3M06300D8 PN Junction Semiconductor tarafından sağlandı

PN Junction Semiconductor, Eylül 2018'de Çin'de üçüncü nesil güç yarı iletken cihazlarında lider bir marka olarak kuruldu. Şirketin ana ürünleri otomotiv sınıfı silisyum karbür MOSFET'ler, silisyum karbür SBD'ler ve galyum nitrür güç cihazlarıdır. Şirket, çeşitli voltaj seviyelerini ve akım taşıma kapasitelerini kapsayan silisyum karbür MOSFET'ler ve SBD'ler ile Çin'deki en kapsamlı silisyum karbür güç cihazları kataloğuna sahiptir ve bunların hepsi AEC-Q101 test ve sertifikasyonundan geçmiştir ve müşterilerin çeşitli uygulama senaryolarını karşılayabilir. PN Junction Semiconductor'un kurucusu Dr. Huang Xing, 2009'dan beri silisyum karbür ve galyum nitrür güç cihazlarının tasarımı ve geliştirilmesinde derinlemesine yer almış ve IGBT'nin mucidi Profesör B. Jayant Baliga ve tristörün mucidi Profesör Alex Huang'ın yanında çalışmıştır. Şu anda PN Junction Semiconductor, 650V, 1200V ve 1700V voltaj platformlarında 100'den fazla farklı silikon karbür diyot, silikon karbür MOSFET, silikon karbür güç modülü ve GaN HEMT ürünü modeli piyasaya sürdü. Seri üretilen ürünler, elektrikli araçlarda, BT ekipmanı güç kaynaklarında, fotovoltaik invertörlerde, enerji depolama sistemlerinde, endüstriyel uygulamalarda ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmış olup, 1. Kademe üreticilere sürekli ve istikrarlı tedarik sağlamaktadır.